在光模块的在产品化过程中，高温反偏（high temperature reverse bias，htrb）试验可验证光模块的高温可靠性，剔除具有表面效应缺陷的早期失效器件。下面，我们对光模块的htrb高温反相偏压实验做个简单了解。

试验设备：环仪仪器 高温反偏老化系统

试验标准：jesd22-a108

测试方法：

125~150℃高温下施加额定反向电压的80%，持续1000小时，检测pn结漏电、钝化层可靠性及边缘终端结构稳定性。

htrb 测试条件：

htrb测试温度优选最大结温100%tjmax，偏置电压优选100%vds(ce)max，测试时间100oh，测量参数包括：栅极漏电流idss(ces)、击穿电压vbrdss(brces)、阈值电压vth，idss(ces)需连续监测，vbrdss(brces)vth在老化前后测量进行对比。idss(ces)超过限值或初始值5倍（含室温下）或vbrdss(brces)超过限值或vth超过上下限值即认为失效。

htrb 加速老化模型：

htrb加速老化测试在高温下施加阻断电压并对终端、钝化层进行考核，终端可动污染离子在电场及高温作用下逐渐暴露并在高电场区积聚，形成表面电荷，导致电场畸变及泄漏电流的增大，最终形成短路通道，其失效时间公式如下所示：

式中：

a为产品相关的特征系数；

b为测试方法相关的特征系数；

v为器件所加阻断电压；

c为电压加速因子；

d为电压与温度间的耦合系数（反映 htrb下阻断漏电流带来的温升效应、温度升高对器件漏电流增大的作用等），相应加速因子如式如下所示：

如有htgb高温栅偏压测试系统的试验疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。